MJD112T4

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Temel Parça No

MJD112

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Voltage Rated Dc

100V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 2A 3V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

100V

Frequency Transition

25MHz

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Akım Değeri

2A

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

25MHz

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Current Collector Cutoff Max

20μA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Kurşunsuz Kodu

no

Currentcollector Ic Max

2A

JESD-609 Kodu

e0

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

2A

Power Dissipation

20W

Pin Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Power Dissipation Ambientmax

20W

Vce Saturation Max Ib Ic

2V @ 8mA, 2A

Yayın Yılı

2006

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR