MJD112RLG

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

2A

Transition Frequency

25MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

20μA

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

2A

Genişlik

6.22mm

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

MJD112

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Voltage Rated Dc

100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 2A 3V

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yükseklik

2.38mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Frequency Transition

25MHz

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

NPN - Darlington

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Polarity

NPN

Uzunluk

6.73mm

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Max Breakdown Voltage

100V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Montaj Tipi

Surface Mount