MJD112RL

Teknik Özellikler

Polarity

NPN

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

Akım Değeri

2A

Transition Frequency

25MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Qualification Status

Not Qualified

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

20μA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

NPN - Darlington

Kurşunsuz Kodu

no

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

JESD-609 Kodu

e0

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

2A

Power Dissipation

20W

Pin Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Vce Saturation Max Ib Ic

3V @ 40mA, 4A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2009

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

MJD112

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Voltage Rated Dc

100V

Collector Emitter Voltage Vceo

3V

Element Configuration

Single

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 2A 3V

Case Connection

COLLECTOR

Frequency Transition

25MHz