MJD112G

Teknik Özellikler

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

1000

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Case Connection

COLLECTOR

Frequency Transition

25MHz

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

MJD112

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Voltage Rated Dc

100V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 2A 3V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.38mm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

2A

Genişlik

6.22mm

Power Dissipation

1.75W

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

2A

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Transition Frequency

25MHz

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

20μA

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

1.75W

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Active