MJB45H11T4G

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

50W

Kurşunsuz

Lead Free

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 400mA, 8A

Frekans

40MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2005

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Max Breakdown Voltage

80V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Gain Bandwidth Product

40MHz

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Hfemin

60

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

2

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 4A 1V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Voltage Rated Dc

-80V

Collector Base Voltage Vcbo

5V

Temel Parça No

MJB45H11

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

2W

Max Collector Current

10A