MJ11033G

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Current Collector Cutoff Max

2mA

Continuous Collector Current

50A

Genişlik

26.67mm

Uzunluk

38.86mm

Yüzey Montaj

NO

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

300W

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Case Connection

COLLECTOR

Collector Emitter Voltage Vceo

120V

Terminal Sayısı

2

Transistor Type

PNP - Darlington

JESD-609 Kodu

e1

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Montaj Tipi

Through Hole

Polarity

PNP

Yükseklik

8.51mm

Pin Sayısı

2

Max Power Dissipation

300W

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Voltage Rated Dc

-120V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

PIN/PEG

Max Collector Current

50A

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2002

Ambalaj

Tray

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Kurşunsuz

Lead Free

Vce Saturation Max Ib Ic

3.5V @ 500mA, 50A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 25A 5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~200°C TJ