MJ11032G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Rated Dc

120V

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

1000

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Formu

PIN/PEG

Max Collector Current

50A

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Yükseklik

8.51mm

Polarity

NPN

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

2

Max Power Dissipation

300W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

1

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Element Configuration

Single

Kılıf / Paket

TO-204AE

Akım Değeri

50A

Transistor Application

AMPLIFIER

Ambalaj

Tray

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2002

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 25A 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

3.5V @ 500mA, 50A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~200°C TJ

Collectoremitter Saturation Voltage

2.5V

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

2

Kurşunsuz

Lead Free

Yüzey Montaj

NO

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Reach Svhc

No SVHC

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Collector Cutoff Max

2mA

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Continuous Collector Current

50A

Terminal Pozisyonu

BOTTOM