MJ11015G

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

-120V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

PIN/PEG

Max Collector Current

30A

Radyasyon Dayanımı

No

Hfemin

1000

Yükseklik

8.51mm

Polarity

PNP

Montaj Tipi

Through Hole

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Max Power Dissipation

200W

Pin Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Kılıf / Paket

TO-204AA, TO-3

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Transistor Application

AMPLIFIER

Akım Değeri

-30A

Transition Frequency

4MHz

Yayın Yılı

2008

Ambalaj

Tray

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Kurşunsuz

Lead Free

Collectoremitter Saturation Voltage

3V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~200°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 20A 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

4V @ 300mA, 30A

Pin Sayısı

2

Parça Durumu

Active

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yüzey Montaj

NO

Frequency Transition

4MHz

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Kurşunsuz Kodu

yes