MJ11012G

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

NO

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Frequency Transition

4MHz

Reach Svhc

No SVHC

Kurşunsuz Kodu

yes

Continuous Collector Current

30A

Current Collector Cutoff Max

1mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Genişlik

8.509mm

Uzunluk

39.37mm

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Case Connection

COLLECTOR

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Type

NPN - Darlington

Terminal Sayısı

2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

200W

Weight

4.535924g

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Rated Dc

60V

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Formu

PIN/PEG

Max Collector Current

30A

Montaj Tipi

Through Hole

Polarity

NPN

Yükseklik

26.67mm

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Max Power Dissipation

200W

Pin Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

TO-204AA, TO-3

Element Configuration

Single

Akım Değeri

30A