MCH6660-TL-H

Teknik Özellikler

Turn Off Delay Time

14.5 ns

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fet Feature

Logic Level Gate

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Fet Type

N and P-Channel

Drain Currentmax Abs Id

2A

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Gate Charge Qg Max Vgs

1.8nC @ 4.5V

Input Capacitance Ciss Max Vds

128pF @ 10V

Continuous Drain Current Id

1.5A

Power Dissipation

800mW

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Yüzey Montaj

YES

Uzunluk

2mm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Rise Time

11ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

850μm

Max Power Dissipation

800mW

Element Configuration

Dual

Current Continuous Drain Id25

2A 1.5A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

136m Ω @ 1A, 4.5V

Kurşunsuz

Lead Free

Yayın Yılı

2013

Montaj Tipi

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e6

Genişlik

1.6mm

Turn On Delay Time

5.1 ns

Terminal Kaplaması

Tin/Bismuth (Sn/Bi)