MBT6429DW1T1G

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Frekans

700MHz

Voltage Rated Dc

40V

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Breakdown Voltage

45V

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Pin Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

MBT6429D

Terminal Sayısı

6

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Terminal Formu

GULL WING

Max Power Dissipation

150mW

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

Transition Frequency

100MHz

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2005

Gain Bandwidth Product

700MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

AMPLIFIER

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Collector Base Voltage Vcbo

55V

Genişlik

1.35mm

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Uzunluk

2.2mm

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

200mA

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Current Collector Cutoff Max

100nA