MBT3906DW1T1G

Teknik Özellikler

Turn Off Timemax Toff

300ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

200mA

Contact Plating

Tin

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Turn On Timemax Ton

70ns

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

250MHz

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Collectoremitter Saturation Voltage

-400mV

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Genişlik

1.35mm

Uzunluk

2.2mm

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Transition Frequency

250MHz

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2007

Akım Değeri

-200mA

Polarity

PNP

Hfemin

60

Yükseklik

1mm

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Reach Svhc

No SVHC

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 1V

Yüzey Montaj

YES

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

-40V

Pin Sayısı

6

Halogen Free

Halogen Free

Element Configuration

Dual

Frekans

250MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ