MBT3904DW1T3G

Teknik Özellikler

Yükseklik

1mm

Hfemin

40

Polarity

NPN

Akım Değeri

200mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yüzey Montaj

YES

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 1V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Radyasyon Dayanımı

No

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Max Collector Current

200mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn On Timemax Ton

70ns

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Uzunluk

2.2mm

Genişlik

1.35mm

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Collectoremitter Saturation Voltage

300mV

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Gain Bandwidth Product

300MHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Yayın Yılı

2007

Power Dissipation

150mW

Transition Frequency

300MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

150mW

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Terminal Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

MBT3904D