MBT35200MT1G

Teknik Özellikler

Current Collector Cutoff Max

100nA

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1.5A 1.5V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

Kılıf / Paket

SOT-23-6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Akım Değeri

-2A

Power Max

625mW

Hfemin

100

Yükseklik

1mm

Transition Frequency

100MHz

Power Dissipation

1W

Yayın Yılı

2005

Transistor Application

SWITCHING

Gain Bandwidth Product

100MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Pozisyonu

DUAL

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

1.7mm

Collector Base Voltage Vcbo

55V

Collectoremitter Saturation Voltage

-260mV

Vce Saturation Max Ib Ic

310mV @ 20mA, 2A

Uzunluk

3.1mm

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

2A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Breakdown Voltage

35V

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Temel Parça No

MBT35200

Transistor Type

PNP