MBT2222ADW1T1G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

600mA

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2005

Transition Frequency

300MHz

Uzunluk

2.2mm

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 50mA, 500mA

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Gain Bandwidth Product

300MHz

Transistor Application

SWITCHING

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Collector Base Voltage Vcbo

75V

Genişlik

1.35mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yükseklik

1.1mm

Akım Değeri

600mA

Polarity

NPN

Hfemin

35

Radyasyon Dayanımı

No

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Current Collector Cutoff Max

10nA ICBO

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 150mA 10V

Yüzey Montaj

YES

Halogen Free

Halogen Free

Element Configuration

Dual

Frekans

300MHz

Voltage Rated Dc

40V

Pin Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Junction Temperature Tj

150°C

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant