MBRS1100T3G

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Active

Yükseklik

2.47mm

Current Reverse Leakage Vr

500μA @ 100V

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Max Surge Current

50A

Peak Reverse Current

500μA

Peak Nonrepetitive Surge Current

50A

Reverse Voltage

100V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Genişlik

3.56mm

Forward Current

1A

Forward Voltage

750mV

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

C BEND

Reach Svhc

No SVHC

Applications

POWER

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE

Max Reverse Leakage Current

500μA

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Kılıf / Paket

DO-214AA, SMB

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

2

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Forward Vf Max If

750mV @ 1A

HTS Kodu

8541.10.00.80

Yüzey Montaj

YES

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

100V

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Number Of Phases

1

Max Junction Temperature Tj

175°C

Diode Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Temel Parça No

MBRS1100

Max Reverse Voltage Dc

100V