MBRD660CTRLG

Teknik Özellikler

Max Reverse Voltage Dc

60V

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2012

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Common Cathode

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Average Rectified Current

3A

Voltage Forward Vf Max If

700mV @ 3A

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

60V

Yüzey Montaj

YES

Diode Configuration

1 Pair Common Cathode

Radyasyon Dayanımı

No

HTS Kodu

8541.10.00.80

ECCN Kodu

EAR99

Contact Plating

Tin

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE

Current Reverse Leakage Vr

100μA @ 60V

Diode Type

Schottky

Halogen Free

Halogen Free

Terminal Sayısı

2

Output Currentmax

3A

Diode Element Material

SILICON

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Peak Nonrepetitive Surge Current

75A

Seri

SWITCHMODE™

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Forward Voltage

900mV

Yükseklik

2.38mm

Reach Svhc

No SVHC

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Phases

1

Temel Parça No

MBRD660CT

Forward Current

6A

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Operating Temperature Junction

-65°C~175°C

Max Forward Surge Current Ifsm

75A