MBRB41H100CT-1G

Teknik Özellikler

Genişlik

4.7mm

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Ambalaj

Tube

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

100V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Voltage Forward Vf Max If

800mV @ 20A

Diode Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Forward Current

20A

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Diode Configuration

1 Pair Common Cathode

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Reverse Leakage Vr

10μA @ 100V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Phases

1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Operating Temperature Junction

175°C Max

Temel Parça No

MBRB41H100CT

Forward Voltage

900mV

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Yayın Yılı

2007

Pin Sayısı

3

Max Reverse Leakage Current

10μA

Additional Feature

LOW POWER LOSS

JESD-609 Kodu

e3

Diode Type

Schottky

ECCN Kodu

EAR99

Peak Nonrepetitive Surge Current

350A

HTS Kodu

8541.10.00.80

Max Forward Surge Current Ifsm

350A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Uzunluk

10.31mm