MBR860MFST1G

Teknik Özellikler

Peak Reverse Current

150μA

Operating Temperature Junction

-55°C~175°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Output Currentmax

8A

Yayın Yılı

2013

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Max Reverse Voltage Dc

60V

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Reverse Leakage Vr

150μA @ 60V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN, 5 Leads

Number Of Phases

1

Applications

EFFICIENCY

Diode Element Material

SILICON

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Element Configuration

Single

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Terminal Sayısı

5

Average Rectified Current

8A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

JESD-609 Kodu

e3

Case Connection

CATHODE

Additional Feature

LOW POWER LOSS

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

60V

Terminal Formu

FLAT

Voltage Forward Vf Max If

800mV @ 8A

Diode Type

Schottky

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Peak Nonrepetitive Surge Current

150A

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Surface Mount