MBR830MFST1G

Teknik Özellikler

Diode Element Material

SILICON

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Average Rectified Current

8A

Terminal Sayısı

5

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Additional Feature

LOW POWER LOSS

Case Connection

CATHODE

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Diode Type

Schottky

Voltage Forward Vf Max If

700mV @ 8A

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Peak Nonrepetitive Surge Current

150A

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Operating Temperature Junction

-40°C~150°C

Peak Reverse Current

200μA

Output Currentmax

8A

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yayın Yılı

2013

Max Reverse Voltage Dc

30V

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Reverse Leakage Vr

200μA @ 30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Applications

EFFICIENCY

Number Of Phases

1

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN, 5 Leads