MBR2H200SFT3G

Teknik Özellikler

Max Forward Surge Current Ifsm

30A

Terminal Formu

FLAT

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Average Rectified Current

2A

Output Currentmax

2A

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

2

Configuration

SINGLE

Montaj Tipi

Surface Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Junction Temperature Tj

150°C

Max Reverse Voltage Dc

200V

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Kılıf / Paket

SOD-123F

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Jesd30 Code

R-PDSO-F2

Diode Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2014

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Diode Type

Schottky

Voltage Forward Vf Max If

940mV @ 2A

Applications

GENERAL PURPOSE

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Peak Reverse Current

200μA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Forward Current

2A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yükseklik

980μm

Reverse Voltage

200V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant