MBR2H100SFT3G

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Parça Durumu

Active

Max Forward Surge Current Ifsm

50A

Pin Sayısı

2

HTS Kodu

8541.10.00.80

Peak Nonrepetitive Surge Current

50A

Number Of Phases

1

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

2

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Temel Parça No

MBR2H100

Operating Temperature Junction

-65°C~175°C

Terminal Pozisyonu

DUAL

Forward Current

2A

Voltage Forward Vf Max If

840mV @ 2A

Contact Plating

Tin

Yayın Yılı

2006

Yüzey Montaj

YES

Diode Element Material

SILICON

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

SOD-123F

Max Reverse Voltage Dc

100V

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Uzunluk

2.9mm

Terminal Formu

FLAT

Average Rectified Current

2A

Output Currentmax

2A

Halogen Free

Halogen Free