KSP13BU

Teknik Özellikler

Uzunluk

4.58mm

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 100μA, 100mA

Terminal Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

625mW

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Transistor Type

NPN - Darlington

Akım Değeri

500mA

Number Of Elements

1

Weight

179mg

Hfemin

10000

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Through Hole

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

500mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Transition Frequency

125MHz

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Yayın Yılı

2002

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

4.58mm

Voltage Rated Dc

30V

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10000 @ 100mA 5V

Pin Sayısı

3

Genişlik

3.86mm

Temel Parça No

KSP13

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Frequency Transition

125MHz

Collectoremitter Saturation Voltage

1.5V

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Montaj Tipi

Through Hole