KSD5041RTA

Teknik Özellikler

Akım Değeri

5A

Power Dissipation

750mW

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 100mA, 3A

Gain Bandwidth Product

150MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Frekans

150MHz

Number Of Elements

1

Genişlik

3.86mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polaritychannel Type

NPN

Terminal Sayısı

3

Transistor Type

NPN

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Max Collector Current

5A

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

JESD-609 Kodu

e3

Temel Parça No

KSD5041

Montaj Tipi

Through Hole

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

340 @ 500mA 2V

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Yükseklik

4.58mm

Voltage Rated Dc

20V

Hfemin

180

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Breakdown Voltage

20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Weight

240mg

Kurşunsuz

Lead Free

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Max Power Dissipation

750mW