KSD471ACGTA

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 100mA, 1A

Voltage Rated Dc

30V

Power Dissipation

800mW

Hfemin

120

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 100mA 1V

Akım Değeri

1A

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Polaritychannel Type

NPN

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Terminal Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Weight

240mg

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Max Breakdown Voltage

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

AMPLIFIER

Frekans

130MHz

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Gain Bandwidth Product

130MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yayın Yılı

2007

Montaj

Through Hole

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Max Power Dissipation

800mW

Max Collector Current

1A

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

NPN

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Temel Parça No

KSD471

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Obsolete