KSD261CGTA

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Max Collector Current

500mA

Max Power Dissipation

500mW

Yayın Yılı

2007

Montaj

Through Hole

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Collectoremitter Saturation Voltage

180mV

Temel Parça No

KSD261

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Obsolete

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Akım Değeri

500mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 100mA 1V

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Power Dissipation

500mW

Hfemin

120

Voltage Rated Dc

20V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Transistor Application

AMPLIFIER

Radyasyon Dayanımı

No

Max Breakdown Voltage

20V

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Lead Free

Weight

240mg

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Terminal Sayısı

3