KSC1009YTA

Teknik Özellikler

Genişlik

3.86mm

Kurşunsuz

Lead Free

Vce Saturation Max Ib Ic

700mV @ 20mA, 200mA

Radyasyon Dayanımı

No

Power Dissipation

800mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 50mA 2V

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

160V

Yükseklik

4.58mm

Terminal Sayısı

3

Montaj

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Weight

240mg

Yayın Yılı

2001

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Akım Değeri

700mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Collectoremitter Breakdown Voltage

140V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Hfemin

40

Transition Frequency

50MHz

Emitter Base Voltage Vebo

8V

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

140V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Max Collector Current

700mA

Pin Sayısı

3

Gain Bandwidth Product

50MHz

Uzunluk

4.58mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Temel Parça No

KSC1009

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

NPN

Max Breakdown Voltage

140V

Voltage Rated Dc

140V