KSC1008GTA

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Qualification Status

Not Qualified

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Max Collector Current

700mA

Power Dissipation

800mW

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 500mA 2V

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Gain Bandwidth Product

50MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Through Hole

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Akım Değeri

700mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Transistor Type

NPN

Max Breakdown Voltage

60V

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Weight

240mg

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Yayın Yılı

2007

Temel Parça No

KSC1008

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polaritychannel Type

NPN

Voltage Rated Dc

60V

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Element Configuration

Single