KSA992FBU

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

3.86mm

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 1mA 6V

Ambalaj

Bulk

Power Dissipation

500mW

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Sayısı

3

Yükseklik

4.58mm

Collector Base Voltage Vcbo

-120V

Yayın Yılı

2004

Weight

179mg

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Akım Değeri

-50mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Hfemin

200

Reach Svhc

No SVHC

Transition Frequency

100MHz

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

120V

Max Collector Current

50mA

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Current Collector Cutoff Max

1μA

Pin Sayısı

3

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz Kodu

yes

Gain Bandwidth Product

100MHz

Uzunluk

4.58mm

Temel Parça No

KSA992

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Transistor Type

PNP

Transistor Element Material

SILICON

Element Configuration

Single