HN1B01FDW1T1G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Emitter Base Voltage Vebo

7V

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2009

Uzunluk

3.1mm

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Hfemin

200

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Power Dissipation

380mW

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

6

Max Collector Current

200mA

Contact Plating

Tin

Polarity

NPN, PNP

Parça Durumu

Active

Collectoremitter Saturation Voltage

-150mV

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Genişlik

1.7mm

Voltage Rated Dc

-60V

Power Dissipation

380mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 6V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Yükseklik

1.1mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Collector Cutoff Max

2μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Akım Değeri

200mA

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES