FMBM5551

Teknik Özellikler

Collectoremitter Saturation Voltage

150mV

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Frekans

300MHz

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Voltage Rated Dc

160V

Transition Frequency

100MHz

Polarity

NPN

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Genişlik

1.68mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Hfemin

80

Temel Parça No

FMBM5551

Power Dissipation

700mW

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1.12mm

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Number Of Elements

2

Qualification Status

Not Qualified

Gain Bandwidth Product

300MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2008

Max Breakdown Voltage

160V

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

160V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

AMPLIFIER

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V

Weight

36mg

Terminal Sayısı

6

Uzunluk

3mm

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free