FMBA06

Teknik Özellikler

Transistor Application

AMPLIFIER

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Terminal Formu

GULL WING

Polarity

NPN

Weight

36mg

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Frekans

100MHz

JESD-609 Kodu

e3

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Current Collector Cutoff Max

100nA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Transition Frequency

100MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 100mA 1V

Voltage Rated Dc

80V

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Montaj

Surface Mount

Akım Değeri

500mA

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Gain Bandwidth Product

100MHz

Parça Durumu

Active

Max Breakdown Voltage

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Power Dissipation

700mW

Temel Parça No

FMBA06

Hfemin

100

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Max Power Dissipation

700mW

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Contact Plating

Tin

Pin Sayısı

6