FJV992PMTF

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Collector Base Voltage Vcbo

-120V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Genişlik

1.3mm

Collector Emitter Voltage Vceo

120V

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Type

PNP

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Montaj Tipi

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

2.9mm

Temel Parça No

FJV992

Max Power Dissipation

300mW

Max Collector Current

50mA

Hfemin

200

Power Dissipation

300mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 1mA 6V

Akım Değeri

-50mA

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

1

Kurşunsuz Kodu

yes

Collectoremitter Saturation Voltage

-300mV

Yükseklik

1.04mm

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Voltage Rated Dc

-120V

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

PNP

Gain Bandwidth Product

50MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Transition Frequency

50MHz

Radyasyon Dayanımı

No