FJD5553TM

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

6.73mm

Power Dissipation

1.25W

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Transistor Type

NPN

Yükseklik

2.39mm

Emitter Base Voltage Vebo

14V

Max Power Dissipation

1.25W

Kurşunsuz Kodu

yes

Temel Parça No

FJD5553

Weight

260.37mg

Collector Emitter Voltage Vceo

400V

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

400V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 200mA, 1A

Max Collector Current

3A

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Number Of Elements

1

Hfemin

30

Radyasyon Dayanımı

No

Polaritychannel Type

NPN

Case Connection

COLLECTOR

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

2

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

JESD-609 Kodu

e3

Genişlik

6.22mm

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Transistor Application

SWITCHING

Collector Base Voltage Vcbo

1.05kV

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tape & Reel (TR)