FFB5551

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

200mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

200mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

200mA

Max Breakdown Voltage

160V

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Yükseklik

1mm

Transition Frequency

100MHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

300MHz

Weight

28mg

Uzunluk

2mm

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Surface Mount

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Power Dissipation

200mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Parça Durumu

Active

Voltage Rated Dc

160V

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Frekans

300MHz

Number Of Elements

2

Hfemin

80

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Dual

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Temel Parça No

FFB5551

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Emitter Voltage Vceo

160V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V