FDS9958

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Contact Plating

Tin

Yükseklik

1.575mm

Element Configuration

Dual

Input Capacitance Ciss Max Vds

1020pF @ 30V

Rds On Max Id Vgs

105m Ω @ 2.9A, 10V

Threshold Voltage

-1.6V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Feedback Capmax Crss

65 pF

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Direnç

105MOhm

Power Dissipation

2W

Rise Time

3ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Weight

187mg

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

Max Power Dissipation

900mW

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain To Source Breakdown Voltage

-60V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

4.9mm

Fall Time Typ

6 ns

Seri

PowerTrench®

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Turn Off Delay Time

27 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

23nC @ 10V

Number Of Elements

2

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2006

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Terminal Sayısı

8