FDS9953A

Teknik Özellikler

Akım Değeri

-2.9A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Rds On Max Id Vgs

130m Ω @ 1A, 10V

Threshold Voltage

-1.8V

Yükseklik

1.5mm

Element Configuration

Dual

Input Capacitance Ciss Max Vds

185pF @ 15V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

2W

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Weight

230.4mg

Terminal Formu

GULL WING

Power Dissipation

2W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

13ns

Pin Sayısı

8

Direnç

130MOhm

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2001

Voltage Rated Dc

-30V

Drain To Source Voltage Vdss

30V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Turn Off Delay Time

11 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

3.5nC @ 10V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Seri

PowerTrench®

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

5mm

Fall Time Typ

2 ns

Kurşunsuz Kodu

yes