FDG6322C

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.25mm

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

850mV

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2017

Direnç

4Ohm

Current Continuous Drain Id25

220mA 410mA

Yükseklik

1mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Fall Time Typ

8 ns

Continuous Drain Current Id

220mA

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Fet Type

N and P-Channel

Akım Değeri

220mA

Nominal Vgs

850 mV

Parça Durumu

Active

Weight

28mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn Off Delay Time

55 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

9.5pF @ 10V

JESD-609 Kodu

e3

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Gate Charge Qg Max Vgs

0.4nC @ 4.5V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Sayısı

6

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Uzunluk

2mm