FDG6318PZ

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Gate Charge Qg Max Vgs

1.62nC @ 4.5V

Turn On Delay Time

10 ns

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Sayısı

6

Voltage Rated Dc

-20V

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Uzunluk

2mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Rise Time

13ns

Fet Feature

Logic Level Gate

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

300mW

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Rds On Max Id Vgs

780m Ω @ 500mA, 4.5V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.25mm

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2003

Direnç

780MOhm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

12V