FDG6316P

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.25mm

Yayın Yılı

2001

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Threshold Voltage

-600mV

Transistor Element Material

SILICON

Direnç

270MOhm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

700mA

Yükseklik

1.1mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fall Time Typ

13 ns

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Drain Currentmax Abs Id

0.7A

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

-700mA

Akım Değeri

-700mA

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

146pF @ 6V

Turn Off Delay Time

8 ns

Parça Durumu

Active

Weight

28mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Turn On Delay Time

5 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

2.4nC @ 4.5V

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Terminal Sayısı

6

Contact Plating

Tin

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Uzunluk

2mm

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA