FDG6308P

Teknik Özellikler

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

6

Gate Charge Qg Max Vgs

2.5nC @ 4.5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Turn On Delay Time

5 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Fet Feature

Logic Level Gate

Rise Time

15ns

Voltage Rated Dc

-20V

Uzunluk

2mm

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On Max Id Vgs

400m Ω @ 600mA, 4.5V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Seri

PowerTrench®

Power Dissipation

300mW

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.25mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Direnç

400MOhm

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

600mA

Gate To Source Voltage Vgs

8V