FDC6310P

Teknik Özellikler

Rds On Max Id Vgs

125m Ω @ 2.2A, 4.5V

Akım Değeri

-2.2A

Power Dissipation

960mW

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Radyasyon Dayanımı

No

Direnç

125MOhm

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

5.2nC @ 4.5V

Continuous Drain Current Id

2.2A

Rise Time

12ns

Terminal Sayısı

6

Reach Svhc

No SVHC

Genişlik

1.7mm

Number Of Elements

2

Fall Time Typ

12 ns

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Turn Off Delay Time

10 ns

Transistor Element Material

SILICON

Seri

PowerTrench®

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Fet Feature

Logic Level Gate

Power Max

700mW

Yükseklik

1mm

Voltage Rated Dc

-20V

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Input Capacitance Ciss Max Vds

337pF @ 10V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Weight

36mg

Kurşunsuz

Lead Free

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR