EMX2DXV6T5G

Teknik Özellikler

Frekans

180MHz

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Hfemin

120

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Type

2 NPN (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Akım Değeri

100mA

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Gain Bandwidth Product

180MHz

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

6

Power Dissipation

500mW

Yayın Yılı

2005

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Voltage Rated Dc

50V

Polarity

NPN