EMX1DXV6T1G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Transition Frequency

180MHz

Yükseklik

600μm

Max Power Dissipation

500mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

ECCN Kodu

EAR99

Frekans

180MHz

Terminal Formu

FLAT

Hfemin

120

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

180MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

1.3mm

Power Dissipation

500mW

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

6

Akım Değeri

100mA

Element Configuration

Dual

Terminal Sayısı

6

Voltage Rated Dc

50V

Contact Plating

Tin

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Collector Current

100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polarity

NPN

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666