EMT1DXV6T5G

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

140MHz

Polarity

PNP

Max Power Dissipation

500mW

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

EMT

Voltage Rated Dc

-60V

Contact Plating

Tin

Pin Sayısı

6

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Akım Değeri

-100mA

Element Configuration

Dual

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Terminal Sayısı

6

Gain Bandwidth Product

140MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz Kodu

yes

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2005

Power Dissipation

500mW

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Hfemin

120

Frekans

140MHz

Terminal Formu

FLAT