EMF5XV6T5G

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Transistor Element Material

SILICON

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V / 270 @ 10mA 2V

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Yayın Yılı

2005

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Hfemin

80

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Pin Sayısı

6

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 12V

Operating Temperature Max

150°C

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

500nA

Resistor Base R1

47k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Temel Parça No

EMF

Polarity

NPN, PNP

Power Dissipation

500mW

Max Collector Current

500mA

Halogen Free

Halogen Free

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V