EMD4DXV6T5G

Teknik Özellikler

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Yüzey Montaj

YES

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

Continuous Collector Current

100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Genişlik

1.3mm

Uzunluk

1.7mm

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Terminal Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Resistor Base R1

47k Ω, 10k Ω

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

357mW

Qualification Status

Not Qualified

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Voltage Rated Dc

50V

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Terminal Formu

FLAT

Max Collector Current

100mA

Hfemin

80

Yükseklik

600μm

Polarity

NPN, PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

500mW

Pin Sayısı

6

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Element Configuration

Dual

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Halogen Free

Halogen Free

Akım Değeri

100mA

Yayın Yılı

2005