EMC3DXV5T1G

Teknik Özellikler

Yükseklik

600μm

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Terminal Sayısı

5

Yüzey Montaj

YES

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Uzunluk

1.7mm

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

5

Max Power Dissipation

500mW

Configuration

COMPLEX

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

FLAT

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

100mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Continuous Collector Current

100mA

Genişlik

1.3mm

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Halogen Free

Halogen Free

Operating Supply Voltage

50V

Pin Sayısı

5

Yayın Yılı

2005

Polarity

NPN, PNP

Number Of Elements

2

Max Output Current

100mA

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Dc Current Gainmin Hfe

35

Temel Parça No

EMC3DXV5

Hfemin

35

Voltage Rated Dc

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Power Dissipation

357mW

Kılıf / Paket

SOT-553

Emitter Base Voltage Vebo

6V