ECH8502-TL-H

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

120mV @ 125mA, 2.5A

JESD-609 Kodu

e6

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Pin Sayısı

8

Polarity

NPN, PNP

Max Power Dissipation

1.6W

Power Dissipation

1.6W

Max Collector Current

5A

Hfemin

200

Yayın Yılı

2013

Emitter Base Voltage Vebo

6V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Terminal Kaplaması

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

Frequency Transition

290MHz

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Type

NPN, PNP

Yüzey Montaj

YES

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Sayısı

8

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

100V 50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Kurşunsuz Kodu

yes

Transition Frequency

290MHz

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Halogen Free

Halogen Free

Kurşunsuz

Lead Free

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 500mA 2V