Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 120mV @ 125mA, 2.5A
- JESD-609 Kodu
- e6
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Pin Sayısı
- 8
- Polarity
- NPN, PNP
- Max Power Dissipation
- 1.6W
- Power Dissipation
- 1.6W
- Max Collector Current
- 5A
- Hfemin
- 200
- Yayın Yılı
- 2013
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- 8-SMD, Flat Lead
- Terminal Kaplaması
- Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Frequency Transition
- 290MHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Yüzey Montaj
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Parça Durumu
- Active
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Sayısı
- 8
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 100V 50V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Transition Frequency
- 290MHz
- Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Element Material
- SILICON
- Halogen Free
- Halogen Free
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 500mA 2V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors