BUH50G

Teknik Özellikler

Current Collector Cutoff Max

100μA

Uzunluk

10.28mm

Seri

SWITCHMODE™

Yükseklik

15.75mm

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Transistor Type

NPN

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Collector Base Voltage Vcbo

800V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Sayısı

3

Hfemin

7

Genişlik

4.82mm

Emitter Base Voltage Vebo

9V

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 1A, 3A

Polaritychannel Type

NPN

Max Power Dissipation

50W

Yayın Yılı

2010

Kılıf / Paket

TO-220-3

Jedec95 Code

TO-220AB

Akım Değeri

4A

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

NO

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

5 @ 2A 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

500V

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Frekans

4MHz

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz Kodu

yes

Voltage Rated Dc

500V

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Max Breakdown Voltage

500V

ECCN Kodu

EAR99